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受発光素子とこれを用いた光学ピックアップ 专利  OAI收割
专利号: JP3438482B2, 申请日期: 2003-06-13, 公开日期: 2003-08-18
作者:  
松尾 憲雅;  遊馬 嘉人;  豊田 清;  池田 直人;  西 紀彰
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3078553B2, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-08-21
作者:  
岡島 正季;  波多腰 玄一;  植松 豊
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