机构

• 半导体研究所 [18]

采集方式

• OAI收割 [18]

内容类型

• 期刊论文 [17]
• 专利 [1]

发表日期

• 2001 [1]
• 2000 [2]
• 1999 [1]
• 1998 [2]
• 1997 [3]
• 1996 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [17]

筛选

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文） 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 677 陆大成; 段树坤 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 105 陆大成; 段树坤 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 729 陆大成; 段树坤 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 Quasi-Thermodynamic Model for MOVPE of AlGaN 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1026 陆大成; 段树坤 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 865 李国华; 韩和相; 丁琨; 汪兆平; 段树坤 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 半导体GaN／MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 736 作者:   收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 一种高频感应加热化学反应腔装置 专利  OAI收割 专利类型: 实用新型, 申请日期: 1997-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 段树坤 收藏  |  浏览/下载：88/23  |  提交时间：2009/06/11 Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 787 作者:  Wang YT(王玉田) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 385 段树坤; 陆大成 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 ZnSe的MOVPE生长相图以DMZn和H2Se为源 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 401 段树坤; 陆大成 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23