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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2010016269A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21
作者:  
河本 滋
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电极结构,半导体器件,及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101218663A, 申请日期: 2008-07-09, 公开日期: 2008-07-09
作者:  
佐佐木达也;  芝和宏;  河本滋;  角野雅芳
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