机构

• 半导体研究所 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]
• 西安光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 专利 [1]

发表日期

• 2019 [1]
• 2018 [1]
• 2008 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种动态调整激光加工区域的装置 专利  OAI收割 专利号: CN209477513U, 申请日期: 2019-10-11, 公开日期: 2019-10-11 作者:  王志煌;  张国忠;  杨连池   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/23 GDT聚变中子源驱动的嬗变系统的初步物理设计与包层中子学分析 期刊论文  OAI收割 核科学与工程, 2018, 卷号: 038 作者:  曾秋孙;  邹小亮;  廉超;  陈德鸿;  王明煌   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/10/26 嬗变系统  GDT(gasdynamictrap)  聚变中子源  次临界包层   UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318 周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23