机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2022 [1]
• 2021 [2]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 基于键合工艺的Si/SiC界面特性研究 学位论文  OAI收割 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者:  王风旋   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2022/07/25 Pulsed Laser Annealing of Phosphorous-Implanted 4H-SiC: Electrical and Structural Characteristics 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 172-178 作者:  Wu, Jingmin;   He, Zhi;   Guo, Zhiyu;   Tian, Run;   Wang, Fengxuan;   Liu, Min;   Yang, Xiang;   Fan, Zhongchao;   Yang, Fuhua   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2022/05/19 Extraction of the Trench Sidewall Capacitances in an n-Type 4H-SiC Trench Metal-Oxide-Semiconductor Structure 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 6, 页码: 2879-2885 作者:  Guo, Zhiyu;   Wu, Jingmin;   Tian, Run;   Wang, Fengxuan;   Xu, Pengfei;   Yang, Xiang;   Fan, Zhongchao;   Yang, Fuhua;   He, Zhi   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2022/05/19