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Ⅲ族氮化物晶体衬底、包含外延层的Ⅲ族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN102666945A, 申请日期: 2012-09-12, 公开日期: 2012-09-12
作者:  
石桥惠二;  善积祐介;  美浓部周吾
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GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101350333A, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21
作者:  
长田英树;  笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  京野孝史
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GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101345221A, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-01-14
作者:  
笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  秋田胜史;  京野孝史
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