机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

_filter

_filter

_filter

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-27, 2013-03-27, 2013-03-27, 2013-03-27 作者:  谢海忠;  卢鹏志;  耿雪妮;  杨华;  李璟   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/10/24 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04, 2012-07-04 作者:  田婷;  张逸韵;  耿雪妮;  李璟;  伊晓燕   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2014/10/31