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Introduction to the special issue "In-depth study of air pollution sources and processes within Beijing and its surrounding region (APHH-Beijing)"
期刊论文
OAI收割
ATMOSPHERIC CHEMISTRY AND PHYSICS, 2019, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 7519-7546
作者:
Shi, Zongbo
;
Vu, Tuan
;
Kotthaus, Simone
;
Harrison, Roy M.
;
Grimmond, Sue
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浏览/下载:192/0
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提交时间:2019/07/12
Ensemble-based optimization of interwell connectivity in heterogeneous waterflooding reservoirs
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF NATURAL GAS SCIENCE AND ENGINEERING, 2017, 卷号: 38, 页码: 245-256
作者:
Wang DG
;
Li Y
;
Chen BL
;
Hu YL
;
Li BZ
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提交时间:2017/04/26
下辽河平原杨树连栽对土壤养分、微生物生物量和酶活性的影响
期刊论文
OAI收割
生态学杂志, 2013, 期号: 2, 页码: 337-343
作者:
蔡立佳
;
徐永刚
;
宇万太
;
胡宝柱
;
吴亚西
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2016/12/06
退耕还林
养分含量
酶活性
杨树林
The influence of 1 nm aln interlayer on properties of the al0.3ga0.7n/aln/gan hemt structure
期刊论文
iSwitch采集
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781
作者:
Guo, Lunchun
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提交时间:2019/05/12
Gan
Hemt
2deg
Mobility
Polarization
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
OAI收割
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R
会议论文
OAI收割
conference on advanced materials and devices for sensing and imaging iii, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Wang, XH
;
Wan, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Way, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
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提交时间:2010/03/09
hydrogen sensor
AlGaN/GaN heterostructure
Schottky diode
Characteristics of high al content alxga1-xn grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
iSwitch采集
Microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 8-9, 页码: 838-841
作者:
Wang, Xiaoyan
;
Wang, Xiaoliang
;
Hu, Guoxin
;
Wang, Baozhu
;
Ma, Zhiyong
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提交时间:2019/05/12
Alxga1-xn
Mocvd
High al content
Photodetector
Characteristics of high Al content AlxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 8-9, 页码: 838-841
Wang XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang XL (Wang, Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu, Guoxin)
;
Wang BZ (Wang, Baozhu)
;
Ma ZY (Ma, Zhiyong)
;
Xiao HL (Xiao, Hongling)
;
Wang CM (Wang, Cuimei)
;
Ran JX (Ran, Junxue)
;
Li JP (Li, Jianping)
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提交时间:2010/03/29
AlxGa1-xN
Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 235-238
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2010/03/29
doping