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III族窒化物半導体の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999243056A, 申请日期: 1999-09-07, 公开日期: 1999-09-07
作者:  
荻野 慎次
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半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1997092931A, 申请日期: 1997-04-04, 公开日期: 1997-04-04
作者:  
荻野 慎次;  坂田 昌良;  進藤 洋一;  守屋 裕史;  山口 賢
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13