中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [3]
深圳先进技术研究院 [1]
自动化研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [4]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2022 [1]
2015 [1]
2008 [3]
学科主题
光电子学 [1]
半导体化学 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Sequence-level Speaker Change Detection with Difference-based Continuous Integrate-and-fire
期刊论文
OAI收割
Signal Processing Letters, 2022, 页码: 1551-1554
作者:
Fan ZY(范志赟)
;
Dong LH(董林昊)
;
Cai M(蔡猛)
;
Ma ZJ(马泽君)
;
Xu B(徐波)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2022/09/17
OnionMap: A Scalable Geometric Addressing and Routing Scheme for 3D Sensor Networks
期刊论文
OAI收割
IEEE Transactions on Wireless Communications, 2015
作者:
Kechao Cai
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2016/01/27
Promoting strain relaxation of si0.72ge0.28 film on si (100) substrate by inserting a low-temperature ge islands layer in uhvcvd
期刊论文
iSwitch采集
Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664
作者:
Zhou, Zhiwen
;
Cai, Zhimeng
;
Li, Cheng
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Relaxed buffer
Sige film
Lt-ge layer
Strain relaxation
Uhvcvd
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
周志文
;
蔡志猛
;
张永
;
蔡坤煌
;
周笔
;
林桂江
;
汪建元
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
;
余金中
;
王启明
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (100) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 part 2
Zhou ZW
;
Cai ZM
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
收藏
  |  
浏览/下载:77/0
  |  
提交时间:2010/03/08
Relaxed buffer