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浏览/检索结果: 共61条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种采用多周期表面DFB光反馈系统抑制1550nm SLD器件F-P激射的方法 专利  OAI收割 专利号: CN109217106A, 申请日期: 2019-01-15, 公开日期: 2019-01-15 作者:  张晶;  孙春明;  祝子翔;  乔忠良;  高欣   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102916338B, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02 作者:  周路;  王云华;  薄报学;  高欣;  乔忠良   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 一种基于短线阵条激光器的千瓦级半导体激光光纤耦合装置 专利  OAI收割 专利号: CN108023270A, 申请日期: 2018-05-11, 公开日期: 2018-05-11 作者:  顾华欣;  高欣;  乔忠良;  张晶;  李辉   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/30 一种高功率半导体激光器芯片焊装方法 专利  OAI收割 专利号: CN107809055A, 申请日期: 2018-03-16, 公开日期: 2018-03-16 作者:  薄报学;  高欣;  乔忠良;  张晶;  李辉   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/30 一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法 专利  OAI收割 专利号: CN107706740A, 申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2018-02-16 作者:  张晶;  祝子翔;  乔忠良;  高欣;  薄报学   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 Comparative study on luminescence extraction strategies of LED by large-scale fabrication of nanopillar and nanohole structures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 51, 期号: 24 作者:  Ye, Jichun;  Bo, Baoxue;  Sun, Jie;  Sheng, Jiang;  Guo, Shiping   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/12/04 Light-emitting-diodes  Photonic Crystal-structure  Multiple-quantum Wells  Optical-properties  Output Power  Efficiency  Arrays  Improvement  Wavelength  Bandgap   Insertion of NiO electron blocking layer in fabrication of GaN-organic heterostructures 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 3 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/12/04 Light-emitting-diodes  Single-crystal Gan  Thin-films  Photodetectors  Heterojunction   Comparative study on luminescence extraction strategies of LED by large-scale fabrication of nanopillar and nanohole structures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 51, 期号: 24 作者:  Ye, Jichun;  Bo, Baoxue;  Sun, Jie;  Sheng, Jiang;  Guo, Shiping   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2018/12/04 Light-emitting-diodes  Photonic Crystal-structure  Multiple-quantum Wells  Optical-properties  Output Power  Efficiency  Arrays  Improvement  Wavelength  Bandgap   一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法 专利  OAI收割 专利号: CN107275921A, 申请日期: 2017-10-20, 公开日期: 2017-10-20 作者:  徐雨萌;  薄报学;  高欣;  乔忠良;  张晶   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 一种改善宽条形大功率半导体激光器光束质量的方法 专利  OAI收割 专利号: CN104332823B, 申请日期: 2017-08-11, 公开日期: 2017-08-11 作者:  薄报学;  高欣;  乔忠良;  张晶   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26