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半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN105144410A, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2015-12-09
作者:  
柴田馨;  秋田胜史;  藤井慧;  石塚贵司
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III族氮化物半導體雷射、及III族氮化物半導體雷射之製作方法 专利  OAI收割
专利号: TW201034325A, 申请日期: 2010-09-16, 公开日期: 2010-09-16
作者:  
藤井慧;  上野昌紀;  秋田勝史;  京野孝史;  善積祐介
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