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• 西安光学精密机械研究... [2]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 专利 [2]

发表日期

• 2012 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构 专利  OAI收割 专利号: CN102473799A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23 作者:  罗伯特·M·法雷尔;  马修·T·哈迪;  太田裕朗;  斯蒂芬·P·登巴尔斯;  詹姆斯·S·斯佩克   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 生长于非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上的装置 专利  OAI收割 专利号: CN102449737A, 申请日期: 2012-05-09, 公开日期: 2012-05-09 作者:  罗伯特・M・法雷尔;  迈克尔・伊萨;  詹姆斯・S・斯佩克;  史蒂文・P・登巴尔斯;  中村秀治   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18