机构

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采集方式

• OAI收割 [42]

内容类型

• 期刊论文 [32]
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发表日期

• 2017 [3]
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学科主题

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• 红外探测材料与器件 [5]
• 半导体材料 [1]
• 生物材料::先进功能... [1]

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浏览/检索结果: 共42条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Overview of Keda Torus eXperiment initial results 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR FUSION, 2017, 卷号: 57, 期号: 11 作者:  Liu, Wandong;  Lan, Tao;  Mao, Wenzhe;  Li, Hong;  Xie, Jinlin   |  收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2018/08/16 Reversed Field Pinch  Construction  Conditioning   High Extinction Coefficient Thieno[3,4-b]thiophene-Based Copolymer for Efficient Fullerene-Free Solar Cells with Large Current Density 期刊论文  OAI收割 CHEMISTRY OF MATERIALS, 2017, 卷号: 29, 期号: 16, 页码: 6766-6771 作者:  Bao, Xichang;  Zhang, Yongchao;  Wang, Junyi;  Zhu, Dangqiang;  Yang, Chunpeng   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/12/04 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2017, 期号: 4, 页码: 498-501 作者:  黄波;  许金通;  王玲;  张燕;  李向阳   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2018/11/20 InGaN  p-i-n  紫外探测器  制备  数值模拟   Efficient inverted planar formamidinium lead iodide perovskite solar cells via a post improved perovskite layer 期刊论文  OAI收割 RSC ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 83, 页码: 79952-79957 作者:  Zhang, Yongchao;  Wang, Junyi;  Xu, Jintong;  Chen, Weiye;  Zhu, Dangqiang 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/11/14 Temperature and frequency dependence of negative differential capacitance in a planar GaN-based p-i-n photodetector 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 卷号: 581, 期号: 2013, 页码: 289-292 作者:  Bao, Xichang;  Xu, Jintong;  Li, Chao;  Qiao, Hui;  Zhang, Yan 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/03/24 Photodetector  GaN  Ion implantation  Negative differential capacitance  Deep level centers   具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法 专利  OAI收割 专利号: 201110117457.7, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20 作者:  1 李超 2 李向阳 3 许金通 4 刘福浩5张燕 6 刘向阳 7 乔辉   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/12/20 一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法 专利  OAI收割 专利号: 201010565046.X, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20 作者:  1 王平 2许金通 3 杨晓阳 4 陆荣 5 刘福浩6李向阳   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/12/20 The Electrochemical Capacitance-Voltage characterization of InP based p-i-n structures 会议论文  OAI收割 0, 2013-06-28 作者:  Wang LW(王立伟);  Lu YD(卢怡丹);  Xu JT(许金通);  Li XY(李向阳)   |  收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2014/11/05 一种细长型的碲镉汞单元光导探测器 专利  OAI收割 专利号: 201010182345.5, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者:  1 王妮丽 2 刘诗嘉 3 赵水平 4 兰添翼 5 许金通 6姜佩璐 7 朱龙源   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/01/14 Study of polishing of HgCdTe wafers 会议论文  OAI收割 2011-05-24 作者:  Zhang LY(张立瑶);  Qiao H(乔辉);  Xu JT(许金通)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/10/25