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氮化物系半导体激光器的制造方法以及氮化物系半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN101527428A, 申请日期: 2009-09-09, 公开日期: 2009-09-09
作者:  
金本恭三;  盐泽胜臣
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氮化物半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
作者:  
盐泽胜臣;  金本恭三;  大石敏之;  黑川博志;  川崎和重
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/31