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• 半导体研究所 [14]
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发表日期

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学科主题

• 半导体材料 [7]

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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 -Unveiling dynamics evolution mechanism of electrochromic process in WO3-x film with thickness dependence 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHIMICA ACTA, 2024, 卷号: 505, 页码: 15 作者:  Chen, Lirong;  Zheng, Jieyuan;  Chen, Xiaoli;  Zheng, Yang;  Wang, Xingru   |  收藏  |   CsPbIBr2-Based Bifacial Semitransparent Solar Cells for All-Day Applications 期刊论文  OAI收割 ENERGY TECHNOLOGY, 2023, 页码: 10 作者:  Zhao, Yajie;  Ge, Rui;  Zheng, Jieyuan;  Chen, Lirong;  Wang, Xingru   |  收藏  |   一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  魏同波;  段瑞飞 收藏  |   制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  魏同波;  段瑞飞 收藏  |   神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析 期刊论文  OAI收割 空间科学学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 455-461 张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英 收藏  |   半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 收藏  |   磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英 收藏  |   用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分 期刊论文  OAI收割 科学通报, 2001, 卷号: 2035, 期号: 0 陈诺夫; 修慧欣; 杨君玲; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英 收藏  |   液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利  OAI收割 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 钟兴儒; 徐自亮; 田金法; 吴金良; 陈诺夫 收藏  |   液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利  OAI收割 专利号: CN2397130Y, 申请日期: 2000-09-20, 作者:  钟兴儒;  徐自亮;  田金法   |  收藏  |