机构

• 半导体研究所 [14]
• 力学研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [16]

内容类型

• 专利 [9]
• 期刊论文 [6]
• 成果 [1]

发表日期

• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [7]

筛选

浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  魏同波;  段瑞飞 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2009/06/11 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  魏同波;  段瑞飞 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2009/06/11 神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析 期刊论文  OAI收割 空间科学学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 455-461 张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/23 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 收藏  |  浏览/下载：57/9  |  提交时间：2009/06/11 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：95/12  |  提交时间：2009/06/11 用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分 期刊论文  OAI收割 科学通报, 2001, 卷号: 2035, 期号: 0 陈诺夫; 修慧欣; 杨君玲; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23 液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利  OAI收割 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 钟兴儒; 徐自亮; 田金法; 吴金良; 陈诺夫 收藏  |  浏览/下载：82/3  |  提交时间：2009/06/11 液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利  OAI收割 专利号: CN2397130Y, 申请日期: 2000-09-20, 作者:  钟兴儒;  徐自亮;  田金法;  吴金良;  陈诺夫   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2025/03/10 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 陈诺夫; 林兰英; 王玉田; 何宏家; 钟兴儒 收藏  |  浏览/下载：68/8  |  提交时间：2009/06/11 下开平动式直拉单晶炉 专利  OAI收割 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 钟兴儒; 田金法; 吴金良; 林兰英; 陈诺夫 收藏  |  浏览/下载：55/1  |  提交时间：2009/06/11