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苏州纳米技术与纳米仿... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
专利 [2]
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [2]
2016 [1]
学科主题
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共3条,第1-3条
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半导体结构及其制备方法
专利
OAI收割
申请日期: 2018-07-03,
作者:
陈俊霞,边历峰,陆书龙
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提交时间:2019/04/01
GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结级联太阳电池及其制作方法
专利
OAI收割
申请日期: 2018-04-24,
作者:
陈俊霞,任昕,边历峰,陆书龙,贾少鹏,王青松,王鑫
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提交时间:2019/04/01
Effects of Ultrathin AlAs Interfacial Layer on Photoluminescence Properties of GaInP Epilayer Grown on Ge
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 卷号: 45, 期号: 1
作者:
Chen, JX(陈俊霞)
;
He, W
;
Jia, SP
;
Jiang, DS
;
Lu, SL(陆书龙)
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提交时间:2017/03/11