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半导体结构及其制备方法 专利  OAI收割
申请日期: 2018-07-03,
作者:  
陈俊霞,边历峰,陆书龙
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GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结级联太阳电池及其制作方法 专利  OAI收割
申请日期: 2018-04-24,
作者:  
陈俊霞,任昕,边历峰,陆书龙,贾少鹏,王青松,王鑫
  |  收藏  |  浏览/下载:51/0  |  提交时间:2019/04/01
Effects of Ultrathin AlAs Interfacial Layer on Photoluminescence Properties of GaInP Epilayer Grown on Ge 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 卷号: 45, 期号: 1
作者:  
Chen, JX(陈俊霞);  He, W;  Jia, SP;  Jiang, DS;  Lu, SL(陆书龙)
收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2017/03/11