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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 专利  OAI收割
专利号: CN201410643283.1, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2015-03-11
作者:  
汤益丹;  白云;  申华军;  霍瑞彬;  刘新宇
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一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 专利  OAI收割
申请日期: 2014-01-01,
作者:  
霍瑞彬;  白云;  申华军
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2018/02/07