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	一种核定区域排放空间的方法专利 OAI收割专利号: CN201810942581.9, 申请日期: 2019-01-11, 公开日期: 2019-01-11 作者: 邓祥征; 张帆; 王超; 王国峰; 韩战钢 \| 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2023/05/11
	拥挤系统阻碍物设置的真人行为实验研究期刊论文 OAI收割复杂系统与复杂性科学, 2016, 期号: 2, 页码: 22-26 作者: 李靖宇; 姜立; 沈超; 于忱; 韩战钢收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2017/07/18
	Investigation of Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurements in Both SOI and Bulk Technologies 期刊论文 OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2014, 卷号: 61, 页码: 1459-1467 作者: Luo, Jie; Yao, Huijun; Sun, Youmei; Xi, Kai; Geng, Chao \| 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2018/07/05 Bragg Peak Ion Range Silicon-on-insulator Single Event Upset
	Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文 OAI收割作者: Liu, Tianqi; Geng, Chao; Zhang, Zhangang; Zhao, Fazhan; Hou, Mingdong \| 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2018/08/20 Single event upset temperature dependence energy deposition Monte Carlo simulation SRAM heavy ions bulk and SOI technologies
	Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文 OAI收割作者: Liu, Jie; Sun, Youmei; Tong, Teng; Zhao, Fazhan; Zhang, Zhangang \| 收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2018/08/20 Single event upset temperature dependence energy deposition Monte Carlo simulation SRAM heavy ions bulk and SOI technologies
	人工智能发展近况期刊论文 OAI收割中国计算机学会通讯, 2008, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 15-27 作者: 高小山; 孙吉贵; 李三江; 姚天顺; 陆汝占 \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2018/03/09 人工智能