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窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3230572B2, 申请日期: 2001-09-14, 公开日期: 2001-11-19
作者:  
豊田 達憲;  庄野 博文;  高木 宏典
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/23
光半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999214748A, 申请日期: 1999-08-06, 公开日期: 1999-08-06
作者:  
高木 宏典
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13