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氮化物半导体发光器件 专利  OAI收割
专利号: CN100454694C, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21
作者:  
花冈大介;  石田真也;  高谷邦启;  伊藤茂稔
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氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN1979984A, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2007-06-13
作者:  
近江晋;  高谷邦启;  山下文雄;  种谷元隆
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