中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
苏州纳米技术与纳米仿... [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells
期刊论文
OAI收割
Optical Materials, 2018
作者:
Yang, J.
;
Liu, S.T.
;
Du, G.T.
;
Zhang, Y.T.
;
Li, M.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:71/0
  |  
提交时间:2019/03/27
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells
期刊论文
OAI收割
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
W. Liu
;
Y. Xing
;
L.Y. Peng
;
L.Q. Zhang
;
W.J. Wang
;
M. Li
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/11/19