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• 半导体研究所 [2]

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• OAI收割 [2]

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• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2021 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Pulsed Laser Annealing of Phosphorous-Implanted 4H-SiC: Electrical and Structural Characteristics 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 172-178 作者:  Wu, Jingmin;   He, Zhi;   Guo, Zhiyu;   Tian, Run;   Wang, Fengxuan;   Liu, Min;   Yang, Xiang;   Fan, Zhongchao;   Yang, Fuhua   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2022/05/19 Extraction of the Trench Sidewall Capacitances in an n-Type 4H-SiC Trench Metal-Oxide-Semiconductor Structure 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 6, 页码: 2879-2885 作者:  Guo, Zhiyu;   Wu, Jingmin;   Tian, Run;   Wang, Fengxuan;   Xu, Pengfei;   Yang, Xiang;   Fan, Zhongchao;   Yang, Fuhua;   He, Zhi   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2022/05/19