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机构
半导体研究所 [4]
合肥物质科学研究院 [1]
采集方式
OAI收割 [4]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2022 [1]
2020 [2]
2007 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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条数/页:
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Light-assisted room temperature gas sensing performance and mechanism of direct Z-scheme MoS2/SnO2 crystal faceted heterojunctions
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF HAZARDOUS MATERIALS, 2022, 卷号: 436
作者:
Yang, Yong
;
Gong, Wufei
;
Li, Xin
;
Liu, Yuan
;
Liang, Yan
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2022/12/22
Light assistance
NO2
Gas sensing
Z-scheme
MoS2
Structure Modulation in Confined Nanoparticles: The Role of the Strain Gradient
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 124, 期号: 39, 页码: 21810-21817
作者:
Chengwu Zou
;
Ce Hu
;
Hang Zhou
;
Shanqing Li
;
Xingfang Luo
;
Jun He
;
Cailei Yuan
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/05/24
Ferromagnetic behaviors in monolayer MoS2 introduced by nitrogen-doping featured
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 116, 期号: 7, 页码: 073102
作者:
Mingyue Chen
;
Ce Hu
;
Xingfang Luo
;
Aijun Hong
;
Ting Yu
;
Cailei Yuan
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/12/20
Preferential orientation growth of ain thin films on si (111) substrates by lp-mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 22, 页码: 1437-1445
作者:
Zhao, Yongmei
;
Sun, Guosheng
;
Liu, Xingfang
;
Li, Jiaye
;
Zhao, Wanshun
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminum nitride
Low pressure metalorganic chemical vapor deposition (lp-mocvd)
V/iii ratio
Preferential orientation growth mechanism
Uniformity Investigation in 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on Si Substrates by Horizontal Hot-Wall CVD
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-4
作者:
Liu Xingfang
;
Zhao Yongmei
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提交时间:2010/11/23