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机构
上海技术物理研究所 [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
专利 [7]
发表日期
2013 [2]
2011 [4]
2009 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
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GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法
专利
OAI收割
专利号: 201010101896.4, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20
作者:
1 李天信 2殷豪 3 夏辉 4陆卫 5 包西昌 6胡伟达7 李宁 8 李志峰 9陈效双 10 李向阳
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提交时间:2013/12/20
光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法
专利
OAI收割
专利号: 201110008829.2, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20
作者:
1李天信 2夏辉 3 陆卫 4殷豪 5黄文超 6王文娟 7胡伟达8李宁 9陈平平 10李志峰 11陈效双
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提交时间:2013/12/20
一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法
专利
OAI收割
专利号: 201010182280.4, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者:
1 叶振华 2黄建 3 胡伟达 4 尹文婷 5 马伟平 6 陈昱7林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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提交时间:2011/12/15
一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片
专利
OAI收割
专利号: 201010234867.5, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者:
1 叶振华 2胡伟达 3殷建军 4吴廷琪5 晨昱 6邢雯 7 林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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提交时间:2011/12/15
碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法
专利
OAI收割
专利号: 200910198969.3, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:
1 叶振华 2 黄建 3 胡伟达 4 尹文婷5 林春 6 陈路 7 廖清君8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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提交时间:2011/07/07
红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法
专利
OAI收割
专利号: 200910198962.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:
1 叶振华 2尹文婷3胡伟达4 黄建5 马伟平 6 林春 7 廖清君 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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提交时间:2011/07/07
一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法
专利
OAI收割
专利号: 200710172700.9, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者:
1、陆卫
;
2、崔昊杨
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3、李志锋
;
4、李宁
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5、甄红楼
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提交时间:2011/07/06