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宁波材料技术与工程研... [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [1]
2019 [1]
学科主题
Chemistry [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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A comprehensive investigation of MoO3 based resistive random access memory
期刊论文
OAI收割
RSC ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 33, 页码: 19337-19345
作者:
Fatheema, Jameela
;
Shahid, Tauseef
;
Mohammad, Mohammad Ali
;
Islam, Amjad
;
Malik, Fouzia
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提交时间:2020/12/16
SWITCHING CHARACTERISTICS
NONVOLATILE MEMORY
LOW-POWER
PERFORMANCE
MECHANISMS
SUBSTRATE
DEVICES
RRAM
Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices
期刊论文
OAI收割
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1
作者:
Lanza, Mario
;
Wong, H-S Philip
;
Pop, Eric
;
Ielmini, Daniele
;
Strukov, Dimitri
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浏览/下载:116/0
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提交时间:2019/12/18
HEXAGONAL BORON-NITRIDE
ALIGNED CARBON NANOTUBES
SPICE COMPACT MODEL
NONVOLATILE MEMORY
RRAM DEVICES
THIN-FILM
DIELECTRIC-BREAKDOWN
MEMRISTIVE BEHAVIOR
PHYSICAL MODEL
NANOSCALE