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• 期刊论文 [28]
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发表日期

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学科主题

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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Uniform self-rectifying resistive random-access memory based on an MXene-TiO2 Schottky junction 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE ADVANCES, 2022, 页码: 8 作者:  Zang, Chao;  Li, Bo;  Sun, Yun;  Feng, Shun;  Wang, Xin-Zhe   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2023/05/09 An Automated Quantization Framework for High-Utilization RRAM-Based PIM 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2022, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 583-596 作者:  Li, Bing;  Qu, Songyun;  Wang, Ying   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2022/12/07 Quantization (signal)  Neural networks  Computational modeling  Data models  Hardware  Resource management  Arrays  AutoML  neural network  processing-in-memory (PIM)  quantization  resistive memory (RRAM)   Realization of a non-markov chain in a single 2D mineral RRAM 期刊论文  OAI收割 SCIENCE BULLETIN, 2021, 卷号: 66, 期号: 16, 页码: 1634-1640 作者:  Zhang, Rongjie;  Chen, Wenjun;  Teng, Changjiu;  Liao, Wugang;  Liu, Bilu   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2021/11/22 2D materials  Mica  Ion transport  RRAM  Non-Markov chain   Spinodal Decomposition-Driven Endurable Resistive Switching in Perovskite Oxides 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13, 期号: 26, 页码: 31001-31009 作者:  Liu, Nan;  Cao, Yi;  Zhu, Yin-Lian;  Wang, Yu-Jia;  Tang, Yun-Long   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2021/10/15 resistive switching  spinodal decomposition  perovskites  atomic force microscopy  transmission electron microscopy   High-performance flexible resistive random access memory devices based on graphene oxidized with a perpendicular oxidation gradient 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE, 2021, 卷号: 13, 期号: 4, 页码: 2448-2455 作者:  Aziz, Tariq;  Wei, Shijing;  Sun, Yun;  Ma, Lai-Peng;  Pei, Songfeng   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/03/15 Hybrid oxide brain-inspired neuromorphic devices for hardware implementation of artificial intelligence 期刊论文  OAI收割 SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS, 2021, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 326-344 作者:  Wang, Jingrui;  Xia, Zhuge;  Fei, Zhuge   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2021/12/01 RESISTIVE SWITCHING CHARACTERISTICS  ELECTRONIC SYNAPSE  HIGHLY UNIFORM  HIGH ENDURANCE  LOW-POWER  MEMRISTOR  MEMORY  RRAM  CLASSIFICATION  PLASTICITY   The Impact of Ferroelectric FETs on Digital and Analog Circuits and Architectures 期刊论文  OAI收割 IEEE DESIGN & TEST, 2020, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 79-99 作者:  Chen, Xiaoming;  Sun, Xiaoyu;  Wang, Panni;  Datta, Suman;  Hu, Xiaobo Sharon   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/12/10 Iron  Transistors  Computer architecture  Switches  Capacitance  Logic gates  Computational modeling  Ferroelectric Field Effect Transistor  FeFET  Negative Capacitance Field Effect Transistor  NCFET  Preisach model  FPGAs  content addressable memories  CAM  TCAM  compute-in-memory  analog synapse   A comprehensive investigation of MoO3 based resistive random access memory 期刊论文  OAI收割 RSC ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 33, 页码: 19337-19345 作者:  Fatheema, Jameela;  Shahid, Tauseef;  Mohammad, Mohammad Ali;  Islam, Amjad;  Malik, Fouzia   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/12/16 SWITCHING CHARACTERISTICS  NONVOLATILE MEMORY  LOW-POWER  PERFORMANCE  MECHANISMS  SUBSTRATE  DEVICES  RRAM   Memristive Synapses for Brain-Inspired Computing 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIES, 2019, 卷号: 4, 期号: 3 作者:  Wang, Jingrui;  Zhuge, Fei   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/12/18 RESISTIVE-SWITCHING MEMORY  MAGNETIC TUNNEL-JUNCTIONS  LONG-TERM POTENTIATION  PHASE-CHANGE MEMORY  RRAM DEVICES  SYNAPTIC PLASTICITY  CONDUCTANCE LINEARITY  ELECTRONIC SYNAPSES  IMPLEMENTATION  SYSTEM   Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1 作者:  Lanza, Mario;  Wong, H-S Philip;  Pop, Eric;  Ielmini, Daniele;  Strukov, Dimitri   |  收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2019/12/18 HEXAGONAL BORON-NITRIDE  ALIGNED CARBON NANOTUBES  SPICE COMPACT MODEL  NONVOLATILE MEMORY  RRAM DEVICES  THIN-FILM  DIELECTRIC-BREAKDOWN  MEMRISTIVE BEHAVIOR  PHYSICAL MODEL  NANOSCALE