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机构
西安光学精密机械研究... [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
专利 [6]
发表日期
2011 [1]
2002 [5]
学科主题
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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High power semiconductor laser diodes
专利
OAI收割
专利号: US20110051758A1, 申请日期: 2011-03-03, 公开日期: 2011-03-03
作者:
KREJCI, MARTIN
;
LICHTENSTEIN, NORBERT
;
WEISS, STEFAN
;
BOUCART, JULIEN
;
TODT, RENE
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提交时间:2019/12/30
Vertical cavity apparatus with tunnel junction
专利
OAI收割
专利号: US6493373, 申请日期: 2002-12-10, 公开日期: 2002-12-10
作者:
BOUCART, JULIEN
;
CHANG-HASNAIN, CONSTANCE
;
JANSEN, MICHAEL
;
NABIEV, RASHIT
;
YUEN, WUPEN
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提交时间:2020/01/13
Vertical cavity apparatus with tunnel junction
专利
OAI收割
专利号: US6493372, 申请日期: 2002-12-10, 公开日期: 2002-12-10
作者:
BOUCART, JULIEN
;
CHANG-HASNAIN, CONSTANCE
;
JANSEN, MICHAEL
;
NABIEV, RASHIT
;
YUEN, WUPEN
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提交时间:2020/01/18
Vertical cavity apparatus with tunnel junction
专利
OAI收割
专利号: US6490311, 申请日期: 2002-12-03, 公开日期: 2002-12-03
作者:
BOUCART, JULIEN
;
CHANG-HASNAIN, CONSTANCE
;
JANSEN, MICHAEL
;
NABIEV, RASHIT
;
YUEN, WUPEN
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提交时间:2020/01/18
Vertical cavity apparatus with tunnel junction
专利
OAI收割
专利号: US6487231, 申请日期: 2002-11-26, 公开日期: 2002-11-26
作者:
BOUCART, JULIEN
;
CHANG-HASNAIN, CONSTANCE
;
JANSEN, MICHAEL
;
NABIEV, RASHIT
;
YUEN, WUPEN
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提交时间:2019/12/24
Vertical cavity apparatus with tunnel junction
专利
OAI收割
专利号: US6487230, 申请日期: 2002-11-26, 公开日期: 2002-11-26
作者:
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提交时间:2020/01/13