机构

• 西安光学精密机械研究... [5]
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采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [5]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2019 [1]
• 2017 [1]
• 2015 [1]
• 2014 [1]
• 2010 [1]

学科主题

• Physics [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Entanglement entropy for TT deformed CFT in general dimensions 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR PHYSICS B, 2019, 卷号: 948, 页码: 114775 作者:  Banerjee, Aritra;  Bhattacharyya, Arpan;  Chakraborty, Soumangsu   |  收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2020/06/16 Method and system for epitaxy processes on miscut bulk substrates 专利  OAI收割 专利号: US9653650, 申请日期: 2017-05-16, 公开日期: 2017-05-16 作者:  CHAKRABORTY, ARPAN;  GRUNDMANN, MICHAEL;  TYAGI, ANURAG   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/24 Interdigitated multiple pixel arrays of light-emitting devices 专利  OAI收割 专利号: US20150294960A1, 申请日期: 2015-10-15, 公开日期: 2015-10-15 作者:  CHAKRABORTY, ARPAN;  SHEN, LIKUN;  MISHRA, UMESH K.   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 Laser diode and method for fabricating same 专利  OAI收割 专利号: US8679876, 申请日期: 2014-03-25, 公开日期: 2014-03-25 作者:  CHAKRABORTY, ARPAN;  HANSEN, MONICA;  DENBAARS, STEVEN;  NAKAMURA, SHUJI;  BRANDES, GEORGE   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES 专利  OAI收割 专利号: US20100309943A1, 申请日期: 2010-12-09, 公开日期: 2010-12-09 作者:  CHAKRABORTY, ARPAN;  LIN, YOU-DA;  NAKAMURA, SHUJI;  DENBAARS, STEVEN P.   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 Rapid growth method and structures for gallium and nitrogen containing ultra-thin epitaxial structures for devices 专利  OAI收割 专利号: WO2011022699A1, 公开日期: 2011-02-24 作者:  RARING, JAMES;  CHAKRABORTY, ARPAN;  POBLENZ, CHRISTIANE   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26