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机构
西安光学精密机械研... [13]
采集方式
OAI收割 [13]
内容类型
专利 [13]
发表日期
2002 [2]
2001 [1]
2000 [2]
1999 [3]
1998 [4]
1997 [1]
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Semiconductor laser device and method of manufacture
专利
OAI收割
专利号: US6356571, 申请日期: 2002-03-12, 公开日期: 2002-03-12
作者:
KIELY, PHILIP ANTHONY
;
CLAISSE, PAUL ROBERT
;
RAMDANI, JAMAL
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser device and method of manufacture
专利
OAI收割
专利号: US6356571, 申请日期: 2002-03-12, 公开日期: 2002-03-12
作者:
KIELY, PHILIP ANTHONY
;
CLAISSE, PAUL ROBERT
;
RAMDANI, JAMAL
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser having electro-static discharge protection
专利
OAI收割
专利号: US6185240, 申请日期: 2001-02-06, 公开日期: 2001-02-06
作者:
JIANG, WENBIN
;
CLAISSE, PAUL R.
;
KIELY, PHILIP A.
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提交时间:2019/12/24
Automatic power control of semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US6151344, 申请日期: 2000-11-21, 公开日期: 2000-11-21
作者:
KIELY, PHILIP
;
CLAISSE, PAUL R.
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提交时间:2019/12/23
Annular waveguide vertical cavity surface emitting laser array and method of fabrication
专利
OAI收割
专利号: US6084900, 申请日期: 2000-07-04, 公开日期: 2000-07-04
作者:
CLAISSE, PAUL R.
;
KIELY, PHILIP A.
;
RAMDANI, JAMAL
;
JIANG, WENBIN
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提交时间:2019/12/26
Annular waveguide vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication
专利
OAI收割
专利号: US5963576, 申请日期: 1999-10-05, 公开日期: 1999-10-05
作者:
CLAISSE, PAUL
;
JIANG, WENBIN
;
KIELY, PHILIP
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提交时间:2019/12/26
Vertical cavity surface emitting laser with phase shift mask
专利
OAI收割
专利号: US5917848, 申请日期: 1999-06-29, 公开日期: 1999-06-29
作者:
CLAISSE, PAUL
;
JIANG, WENBIN
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提交时间:2019/12/26
Long wavelength vertical cavity surface emitting laser
专利
OAI收割
专利号: US5903586, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
作者:
RAMDANI, JAMAL
;
LEBBY, MICHAEL S.
;
CLAISSE, PAUL
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提交时间:2020/01/13
Reliable near IR VCSEL
专利
OAI收割
专利号: US5832017, 申请日期: 1998-11-03, 公开日期: 1998-11-03
作者:
RAMDANI, JAMAL
;
JIANG, WENBIN
;
CLAISSE, PAUL
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提交时间:2019/12/26
Integrated vertical cavity surface emitting laser pair for high density data storage and method of fabrication
专利
OAI收割
专利号: US5831960, 申请日期: 1998-11-03, 公开日期: 1998-11-03
作者:
JIANG, WENBIN
;
CLAISSE, PAUL
;
LEBBY, MICHAEL S.
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提交时间:2019/12/26