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苏州纳米技术与纳米仿... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2012 [3]
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共3条,第1-3条
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Threshold voltage’s dependence on channel width in nano-channel array AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
OAI收割
Physica Status Solidi C, 2012, 卷号: 9, 期号: 3-4
作者:
Hua Qin(秦华)
;
Yong Cai(蔡勇)
;
Wenhua Shi(时文华)
;
Yong Cai(蔡勇)
;
Baoshun Zhang (张宝顺)
收藏
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提交时间:2013/01/22
AlGaN/GaN HEMT
nano-channel array
E-mode
threshold voltage
Enhancement-Mode Operation of Nano-Channel Array (NCA) AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
OAI收割
Electron Device Letters, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 354 - 356
作者:
Yong Cai(蔡勇)
;
Wenhua Shi(时文华)
;
Baoshun Zhang (张宝顺)
;
Baoshun Zhang (张宝顺)
;
Hua Qin(秦华)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/01/22
AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)
enhancement-mode (E-mode)
high-frequency
nanochannel array (NCA)
Threshold voltage dependence on channel width in nano-channel array AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
OAI收割
Phys. Status Solidi C, 2012, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 879–882
作者:
Baoshun Zhang(张宝顺)
;
Yong Cai(蔡勇)
;
Yong Cai(蔡勇)
;
Wenhua Shi(时文华)
;
Chunhong Zeng(曾春红)
收藏
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提交时间:2013/01/16
AlGaN/GaN HEMT
nano-channel array
E-mode
threshold voltage