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ZnO based compound semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: EP1912298A1, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2008-04-16
作者:  NIKI, SHIGERU;  FONS, PAUL;  IWATA, KAKUYA;  TANABE, TETSUHIRO;  TAKASU, HIDEMI
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Method for growing ZnO based oxide semiconductor layer and method for manufacturing semiconductor light emitting device using the same 专利  OAI收割
专利号: US20020025594A1, 公开日期: 2002-02-28
作者:  IWATA, KAKUYA;  FONS, PAUL;  YAMADA, AKIMASA;  MATSUBARA, KOJI;  NIKI, SHIGERU
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Method of manufacturing semiconductor device having ZnO based oxide semiconductor layer 专利  OAI收割
专利号: US20020058351A1, 公开日期: 2002-05-16
作者:  IWATA, KAKUYA;  FONS, PAUL;  MATSUBARA, KOJI;  YAMADA, AKIMASA;  NIKI, SHIGERU
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