机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2013 [1]
• 2012 [2]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 102, 102, 期号: 24, 页码: 1113, 1113 作者:  Peng Dong, Jianchang Yan, Junxi Wang, Yun Zhang, Chong Geng, Tongbo Wei, Peipei Cong, Yiyun Zhang, Jianping Zeng, Yingdong Tian, Lili Sun, Qingfeng Yan, Jinmin Li, Shunfei Fan, Zhixin Qin   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/04/09 Valence band offset of β-ga2o3/wurtzite gan heterostructure measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 期号: 1 作者:  Wei,Wei;  Qin,Zhixin;  Fan,Shunfei;  Li,Zhiwei;  Shi,Kai 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 β-ga2o3/wurtzite gan heterostructure  Band offset  X-ray photoelectron spectroscopy   Valence band offset of beta-Ga2O3/wurtzite GaN heterostructure measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 562 Wei W (Wei, Wei); Qin ZX (Qin, Zhixin); Fan SF (Fan, Shunfei); Li ZW (Li, Zhiwei); Shi K (Shi, Kai); Zhu QS (Zhu, Qinsheng); Zhang GY (Zhang, Guoyi) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2013/04/18