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Titanium nitride diffusion barrier for use in non-silicon technologies and method 专利  OAI收割
专利号: US6204560, 申请日期: 2001-03-20, 公开日期: 2001-03-20
作者:  
DAETWYLER, ANDREAS;  DEUTSCH, URS;  HARDER, CHRISTOPH;  HEUBERGER, WILHELM;  LATTA, EBERHARD
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Method for the epitaxial growth of a semiconductor structure 专利  OAI收割
专利号: CA2006266A1, 申请日期: 1990-09-10, 公开日期: 1990-09-10
作者:  
GALEUCHET YVAN;  GRAF VOLKER;  HEUBERGER WILHELM;  ROENTGEN PETER
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18