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物理研究所 [2]
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OAI收割 [2]
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期刊论文 [2]
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2011 [2]
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The influence of pressure on the growth of a-plane GaN on r-plane sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
OAI收割
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2011, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 446
He, T
;
Li, H
;
Dai, LG
;
Wang, XL
;
Chen, Y
;
Ma, ZG
;
Xu, PQ
;
Jiang, Y
;
Wang, L
;
Jia, HQ
;
Wang, WX
;
Chen, H
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提交时间:2013/09/23
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
QUANTUM-WELLS
PHOTOLUMINESCENCE
NITRIDE
FIELDS
LAYERS
Optim ization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD
期刊论文
OAI收割
Chinese Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 32, 期号: 4, 页码: 363
He T, Chen Y, Li H, Dai LG, Wang XL, Xu PQ, Wang WX, Chen H
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提交时间:2013/09/24