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机构
物理研究所 [2]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
1997 [1]
1995 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Growth of GaN layers on GaAs and GaP (111) and (001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
compound semiconductors 1996, 1997, 期号: 155, 页码: 259-262
Cheng TS
;
Foxon CT
;
Ren GB
;
Jeffs NJ
;
Orton JW
;
Novikov SV
;
Xin Y
;
Brown PD
;
Humphreys CJ
;
Halliwell M
收藏
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提交时间:2010/11/17
LIGHT-EMITTING-DIODES
GALLIUM NITRIDE
THE MICROSTRUCTURE OF MNSB GROWN ON (001)GAAS BY HOT-WALL EPITAXY
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1995, 卷号: 156, 期号: 3, 页码: 155
XIN, Y
;
BROWN, PD
;
BOOTHROYD, CB
;
HUMPHREYS, CJ
;
TATSUOKA, H
;
KUWABARA, H
;
OSHITA, M
;
NAKAMURA, T
;
FUJIYASU, H
;
NAKANISHI, Y
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/09/23
FILMS
HREM STUDIES OF THE (001) SURFACE OF YBA2CU4O8
期刊论文
OAI收割
PHYSICA C, 1995, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 319
XIN, Y
;
ZHOU, W
;
HUMPHREYS, CJ
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提交时间:2013/09/17
YBA2CU3O7-DELTA
SUPERCONDUCTOR
MICROSCOPY