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金属研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [2]
2007 [1]
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共3条,第1-3条
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Fabrication of uniform Ge-nanocrystals embedded in amorphous SiO2 films using Ge-ion implantation and neutron irradiation methods
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: 3
作者:
Chen, Q.
;
Lu, T.
;
Xu, M.
;
Meng, C.
;
Hu, Y.
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提交时间:2021/02/02
Fabrication of uniform Ge-nanocrystals embedded in amorphous SiO(2) films using Ge-ion implantation and neutron irradiation methods
期刊论文
OAI收割
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7
Q. Chen
;
T. Lu
;
M. Xu
;
C. Meng
;
Y. Hu
;
K. Sun
;
I. Shlimak
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提交时间:2012/04/13
transmutation-doped gaas
electrical-properties
misfit dislocations
lasers go
silicon
films
The Raman spectroscopy of neutron transmutation doping isotope (74)Germanium nanocrystals embedded in SiO2 matrix
期刊论文
OAI收割
Solid State Communications, 2007, 卷号: 141, 期号: 9, 页码: 514-518
Y. W. Hu
;
T. C. Lu
;
S. B. Dun
;
Q. Hu
;
N. K. Huang
;
S. B. Zhang
;
B. Tang
;
J. L. Dai
;
L. Resnick
;
I. Shlimak
;
S. Zhu
;
Q. M. Wei
;
L. M. Wang
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提交时间:2012/04/13
isotope Ge nanocrystals
transmuted impurities
laser Raman scattering
neutron transmutation doping
visible photoluminescence
semiinsulating gaas
hopping conduction
thin-films
scattering
germanium
sio2-films
plasmons
phonons
growth