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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Manufacturing method of group III nitride substrate, group III nitride substrate, group III nitride substrate with epitaxial layer, manufacturing method of group III nitride substrate with epitaxial layer, and manufacturing method of group III nitride device 专利  OAI收割 专利号: US20080057608A1, 公开日期: 2008-03-06 作者:  ISHIBASHI, KEIJI;  IRIKURA, MASATO;  NAKAHATA, SEIJI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26 Nitride semiconductor substrate and method of producing same 专利  OAI收割 专利号: US20060071234A1, 公开日期: 2006-04-06 作者:  IRIKURA, MASATO;  MOCHIDA, YASUSHI;  NAKAYAMA, MASAHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26