机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 10, 页码: 103001, 103001 作者:  Ji, Panfeng;  Liu, Naixin;  Wei, Xuecheng;  Liu, Zhe;  Lu, Hongxi   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/06/14 Gallium nitride  Growth temperature  Semiconductor quantum wells  Surface defects  Gallium Nitride  Growth Temperature  Semiconductor Quantum Wells  Surface Defects   Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 11, 页码: 114006, 114006 作者:  Ji, Panfeng;  Liu, Naixin;  Wei, Tongbo;  Liu, Zhe;  Lu, Hongxi   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/06/14 Efficiency  Electrostatic devices  Electrostatic discharge  Superlattices  Voltage control  Efficiency  Electrostatic Devices  Electrostatic Discharge  Superlattices  Voltage Control