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机构
西安光学精密机械研究... [2]
工程热物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
专利 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
1983 [1]
学科主题
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共3条,第1-3条
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Nitride semiconductor laser diode and manufacturing method thereof
专利
OAI收割
专利号: US20100118905A1, 申请日期: 2010-05-13, 公开日期: 2010-05-13
作者:
YABUSHITA, TOMOHITO
;
KAWAGUCHI, YASUTOSHI
;
UETA, AKIO
;
ISHIBASHI, AKIHIKO
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提交时间:2019/12/31
PRESSURE RECOVERY OF COLLECTORS WITH ANNULAR CURVED DIFFUSERS
会议论文
OAI收割
ASME, phoenix,Arizona, 1983-03-27
Yasutoshi Senoo
;
Nobumasa Kawaguchi
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/08/07
Nitride semiconductor, method for manufacturing the same and nitride semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: US20030183827A1, 公开日期: 2003-10-02
作者:
KAWAGUCHI, YASUTOSHI
;
ISHIBASHI, AKIHIKO
;
TSUJIMURA, AYUMU
;
OTSUKA, NOBUYUKI
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提交时间:2019/12/26