机构

• 长春光学精密机械与物... [3]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2021 [2]
• 2019 [1]
• 2011 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa) (AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001) 期刊论文  OAI收割 New Journal of Physics, 2021, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 16 作者:  P. Steindl;  E. M. Sala;  B. Alen;  D. Bimberg and P. Klenovsky   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2022/06/13 Structural and compositional analysis of (InGa) (AsSb)/GaAs/GaP Stranski-Krastanov quantum dots 期刊论文  OAI收割 Light-Science & Applications, 2021, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 13 作者:  R. S. R. Gajjela;  A. L. Hendriks;  J. O. Douglas;  E. M. Sala;  P. Steindl   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2022/06/13 Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots 期刊论文  OAI收割 Physical Review B, 2019, 卷号: 100, 期号: 11, 页码: 14 作者:  P.Klenovsky;  A.Schliwa;  D.Bimberg   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/08/24 cyclotron-resonance,strain distribution,optical-properties,semiconductors,energy,gap,heterostructures   Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled gaas/alxga1-xas and inxga1-xas/gaas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: 4 作者:  Plumhof, J. D.;  Krapek, V.;  Ding, F.;  Joens, K. D.;  Hafenbrak, R. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: article no.121302 Plumhof JD; Krapek V; Ding F; Jons KD; Hafenbrak R; Klenovsky P; Herklotz A; Dorr K; Michler P; Rastelli A; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：69/2  |  提交时间：2011/07/05 ENTANGLED PHOTON PAIRS  SEMICONDUCTOR  SPIN