机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2016 [2]
• 2015 [2]

学科主题

• 光电子学 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2016, 卷号: 662, 页码: 16-19 X.G. He; D.G. Zhao; D.S. Jiang; J.J. Zhu; P. Chen; Z.S. Liu; L.C. Le; J. Yang; X.J. Li; J.P. Liu; L.Q. Zhang; H. Yang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/10 Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文  OAI收割 vacuum, 2016, 卷号: 129, 页码: 99-104 J. Yang; D.G. Zhao; D.S. Jiang; P. Chen; J.J. Zhu; Z.S. Liu; L.C. Le; X.G. He; X.J. Li; J.P. Liu; L.Q. Zhang; H. Yang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/10 Photovoltaic response of InGaN/GaN multi-quantum well solar cells enhanced by inserting thin GaN cap layers 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 635, 期号: 2015, 页码: 82–86 J. Yang; D.G. Zhao; D.S. Jiang; P. Chen; J.J. Zhu; Z.S. Liu; L.C. Le; X.G. He; X.J. Li; H. Yang; Y.T. Zhang; G.T. Du 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/03/23 The effect of composite GaN/InGaN last barrier layer on electron leakage current and modal gain of InGaN-based multiple quantum well laser diodes 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2015, 卷号: 212, 期号: 12, 页码: 2936–2943 P. Chen; D.G. Zhao; D.S. Jiang; J.J. Zhu; Z.S. Liu; L.C. Le; J. Yang; X. Li; L. Q. Zhang; J.P. Liu; S.M. Zhang; H. Yang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/03/22