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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2007 [1]
2005 [1]
2002 [1]
学科主题
半导体器件 [1]
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Morphological and electrical properties of inp grown by solid source molecular beam epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 243-247
作者:
Pi, Biao
;
Shu, Yongchun
;
Lin, Yaowang
;
Sun, Jiaming
;
Qu, Shengchun
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提交时间:2019/05/12
Electron concentration
High electron mobility
Surface morphology
Inp epilayer
Molecular beam epitaxy
MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1485-1488
作者:
Xu Bo
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
3μm GaInNAs/GasAs Quantum Well Resonant Cavity Enhanced Photodetector
期刊论文
OAI收割
光子学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 303-307
作者:
Zhang Wei
;
Xu Yingqiang
;
Zhang Ruikang
;
Xu Yingqiang
收藏
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提交时间:2010/11/23