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• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2011, 卷号: 62, 期号: 1, 页码: 185-188 Yu,W; Zhang,B; Zhao,QT; Hartmann,JM; Buca,D; Nichau,A; Luptak,R; Lopes,JMJ; Lenk,S; Luysberg,M; Bourdelle,KK; Wang,X; Mantl,S 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/10 PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD   High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2011, 卷号: 62, 期号: 1, 页码: 185-188 Yu, W; Zhang, B; Zhao, QT; Hartmann, JM; Buca, D; Nichau, A; Luptak, R; Lopes, JMJ; Lenk, S; Luysberg, M; Bourdelle, KK; Wang, X; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Physics  Physics  Electrical & Electronic  Applied  Condensed Matter