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• 西安光学精密机械研究... [4]

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• 2018 [1]
• 2012 [1]
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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates 专利  OAI收割 专利号: EP2329536B1, 申请日期: 2018-08-15, 公开日期: 2018-08-15 作者:  MCLAURIN, MELVIN B.;  KRAMES, MICHAEL R.   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/24 Iii-v light emitting device including a light extracting structure 专利  OAI收割 专利号: US20120241798A1, 申请日期: 2012-09-27, 公开日期: 2012-09-27 作者:  DAVID, AURELIEN J.F.;  KRAMES, MICHAEL R.;  MCLAURIN, MELVIN B.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30 Method of forming a composite substrate and growing a iii-v light emitting device over the composite substrate 专利  OAI收割 专利号: US20110177631A1, 申请日期: 2011-07-21, 公开日期: 2011-07-21 作者:  GARDNER, NATHAN F.;  KRAMES, MICHAEL R.;  MCLAURIN, MELVIN B.;  YI, SUNGSOO   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/30 Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 专利  OAI收割 专利号: WO2005122267A3, 公开日期: 2005-12-22 作者:  HASKELL, BENJAMIN, A.;  MCLAURIN, MELVIN, B.;  DENBAARS, STEVEN, P.;  SPECK, JAMES, S.;  NAKAMURA, SHUJI   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26