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机构
半导体研究所 [2]
长春光学精密机械与物... [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
1988 [1]
1986 [1]
1985 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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LOW-TEMPERATURE TRANSIENT OF DEEP CENTER ZN IN GAN
期刊论文
OAI收割
Journal of Luminescence, 1988, 页码: 375-376
作者:
Gao Y.
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/27
ELECTRONIC-PROPERTIES OF AN ELECTRON-ATTRACTIVE COMPLEX NEUTRAL DEFECT IN GAAS
期刊论文
OAI收割
physical review b, 1986, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 4424-4427
MONEMAR B
;
GISLASON HP
;
CHEN WM
;
WANG ZG
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/15
LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS
期刊论文
OAI收割
physical review b, 1985, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 7919-7924
MONEMAR B
;
GISLASON HP
;
WANG ZG
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15