中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [3]
工程热物理研究所 [2]
广州地球化学研究所 [1]
国家授时中心 [1]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [4]
专利 [3]
发表日期
2022 [1]
2020 [1]
2017 [1]
2012 [1]
2011 [1]
2004 [2]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Presolar Stardust in Asteroid Ryugu
期刊论文
OAI收割
ASTROPHYSICAL JOURNAL LETTERS, 2022, 卷号: 935, 期号: 1, 页码: L3
作者:
Barosch, Jens
;
Nittler, Larry R.
;
Wang, Jianhua
;
Alexander, Conel M. O'D
;
De Gregorio, Bradley T.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2023/09/18
The First VERA Astrometry Catalog
期刊论文
OAI收割
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN, 2020, 卷号: 72, 期号: 4, 页码: 19
作者:
Hirota, Tomoya
;
Nagayama, Takumi
;
Honma, Mareki
;
Adachi, Yuuki
;
Burns, Ross A.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2021/11/29
astrometry
Galaxy: fundamental parameters
masers
Semiconductor laser light source device
专利
OAI收割
专利号: WO2017141894A1, 申请日期: 2017-08-24, 公开日期: 2017-08-24
作者:
MORITA DAISUKE
;
TAMAYA MOTOAKI
;
IKEDA KAZUTAKA
;
GENDA YUMI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Unsteady Behavior of Surge and Rotating Stall in an Axial Flow Compressor
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF THERMAL SCIENCE, 2012, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 302,310
Yutaka OHTA l. Yutaka FUJITA2
;
Daisuke MORITA2
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/01/07
Axial flow compressor
Surge
Rotating stall
Stall cell
Jet injection
Unsteady Flow Field under Surge and Rotating Stall in a Three-stage Axial Flow Compressor
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF THERMAL SCIENCE, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6,12
Takayuki HARA1
;
Daisuke MORITA1
;
Yutaka OHTA 2
;
Eisuke OUTA2
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/12/11
Axial flow compressor
Surge
Rotating stall
Stall cell
Wavelet analysis.
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
专利
OAI收割
专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
专利
OAI收割
专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:
NAGAHAMA, SHINICHI
;
SANO, MASAHIKO
;
YANAMOTO, TOMOYA
;
SAKAMOTO, KEIJI
;
YAMAMOTO, MASASHI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/12/30