中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
宁波材料技术与工程研... [1]
微电子研究所 [1]
文献情报中心 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2022 [1]
2019 [1]
2018 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Investigating Company’s Technical Development Directions Based on Internal Knowledge Inheritance and Inventor Capabilities: The Case of Samsung Electronics
期刊论文
OAI收割
Sustainability, 2022, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 3117
作者:
Han F(韩芳)
;
Yoon, Sejun
;
Raghavan, Nagarajan
;
Park, Hyunseok
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2022/03/18
Knowledge Persistence
Main Path Analysis
Social Network Analysis
Corporate Technology Strategy
Technology Forecasting
Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices
期刊论文
OAI收割
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1
作者:
Lanza, Mario
;
Wong, H-S Philip
;
Pop, Eric
;
Ielmini, Daniele
;
Strukov, Dimitri
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:106/0
  |  
提交时间:2019/12/18
HEXAGONAL BORON-NITRIDE
ALIGNED CARBON NANOTUBES
SPICE COMPACT MODEL
NONVOLATILE MEMORY
RRAM DEVICES
THIN-FILM
DIELECTRIC-BREAKDOWN
MEMRISTIVE BEHAVIOR
PHYSICAL MODEL
NANOSCALE
Atomic Scale Modulation of Self-Rectifying Resistive Switching by Interfacial Defects
期刊论文
OAI收割
Advavced Science, 2018
作者:
xing wu
;
kaihao yu
;
Dongkyu cha
;
Michel Bosman
;
Nagarajan Raghavan
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/04/10