机构

• 半导体研究所 [2]
• 高能物理研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2019 [1]
• 2018 [1]
• 2010 [2]

学科主题

• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Combination of inclusive and differential t(t)over-bar charge asymmetry measurements using atlas and cms data at root s=7 and 8 tev 期刊论文  iSwitch采集 Journal of high energy physics, 2018, 期号: 4, 页码: 68 作者:  Aaboud, M. y;  Aad, G.;  Abbott, B.;  Abdinov, O.;  Abeloos, B. 收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2019/04/23 Hadron-hadron scattering (experiments)  Top physics   Effects of algan/aln stacked interlayers on gan growth on si (111) 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 3 作者:  Wang Hui;  Liang Hu;  Wang Yong;  Ng Kar-Wei;  Deng Dong-Mei 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111) 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103 Wang H (Wang Hui); Liang H (Liang Hu); Wang Y (Wang Yong); Ng KW (Ng Kar-Wei); Deng DM (Deng Dong-Mei); Lau KM (Lau Kei-May) 收藏  |  浏览/下载：113/3  |  提交时间：2010/04/22 VAPOR-PHASE EPITAXY  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  REDUCTION  THICKNESS  NITRIDE  LAYERS