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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
1999 [2]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Self-limiting MBE growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned GaAs(311)A substrates
期刊论文
OAI收割
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5
Niu ZC
;
Notzel R
;
Jahn U
;
Schonherr HP
;
Fricke J
;
Ploog KH
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
high-index substrates
molecular beam epitaxy (MBE)
patterned growth
three-dimensionally confined nanostructures
SIDEWALL QUANTUM WIRES
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Self-limiting mbe growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned gaas(311)a substrates
期刊论文
iSwitch采集
Journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5
作者:
Niu, ZC
;
Notzel, R
;
Jahn, U
;
Schonherr, HP
;
Fricke, J
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/05/12
High-index substrates
Molecular beam epitaxy (mbe)
Patterned growth
Three-dimensionally confined nanostructures
三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 311
作者:
牛智川
;
韩勤
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提交时间:2010/11/23